Hersteller Produktnummer:
IPW65R150CFDAFKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW65R150CFDAFKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
220 Stück Neu Original Auf Lager
12806740
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW65R150CFDAFKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
195.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW65R150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
240
Andere Namen
SP000928274
2156-IPW65R150CFDAFKSA1
ROCINFIPW65R150CFDAFKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW31N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
6
TEILNUMMER
STW31N65M5-DG
Einheitspreis
2.20
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK