Hersteller Produktnummer:
IQE220N15NM5CGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IQE220N15NM5CGATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
Inventar:
13002582
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IQE220N15NM5CGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TTFN-9-3
Paket / Koffer
9-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IQE220N15
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP005399463
448-IQE220N15NM5CGATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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