Hersteller Produktnummer:
IRF5810TR
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5810TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12806839
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Menge
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IRF5810TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
650pF @ 16V
Leistung - Max
960mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
IRF58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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