IRF6635TR1PBF

Hersteller Produktnummer:

IRF6635TR1PBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6635TR1PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventar:

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12805091

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IRF6635TR1PBF Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

HEXFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

32A (Ta), 180A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 32A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.35V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

71 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

5970 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

DIRECTFET™ MX

Paket / Koffer

DirectFET™ Isometric MX

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

IRF6635TR1PBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Andere Namen

IRF6635TR1PBFTR

SP001530798

IRF6635TR1PBFDKR

IRF6635TR1PBFCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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