Hersteller Produktnummer:
IRF7233
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7233-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12804915
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Menge
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IRF7233 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
*IRF7233
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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