Hersteller Produktnummer:
IRFB812PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB812PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12819665
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Menge
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IRFB812PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFB812
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-IRFB812PBF
SP001563948
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU4N52K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2513
TEILNUMMER
STU4N52K3-DG
Einheitspreis
0.45
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTP1R6N50D2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP1R6N50D2-DG
Einheitspreis
1.55
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP4N52K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2208
TEILNUMMER
STP4N52K3-DG
Einheitspreis
0.49
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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