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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFP4332PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFP4332PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
471 Stück Neu Original Auf Lager
12823128
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IRFP4332PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IRFP4332
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFP4332PBF
HTML-Datenblatt
IRFP4332PBF-DG
Design-Ressourcen
IRFP4332PBF Saber Model
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
IRFP4332PBF-DG
SP001578038
448-IRFP4332PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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