Hersteller Produktnummer:
IRFP90N20DPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFP90N20DPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
574 Stück Neu Original Auf Lager
12806038
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IRFP90N20DPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6040 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
580W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IRFP90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
SP001552070
IFEINFIRFP90N20DPBF
*IRFP90N20DPBF
2156-IRFP90N20DPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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