Hersteller Produktnummer:
IRLBD59N04ETRLP
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLBD59N04ETRLP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5
Inventar:
12806083
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLBD59N04ETRLP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-5
Paket / Koffer
TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRLR8103VTRR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
IRF6722STRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRLH6224TR2PBF
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
