Hersteller Produktnummer:
ISC0602NLSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISC0602NLSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 14A (Ta), 66A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventar:
11602 Stück Neu Original Auf Lager
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ISC0602NLSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta), 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 29µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-6
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC0602N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC0602NLSATMA1CT
SP005430396
448-ISC0602NLSATMA1DKR
448-ISC0602NLSATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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