Hersteller Produktnummer:
ISP13DP06NMSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISP13DP06NMSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V SOT223
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) Surface Mount PG-SOT223
Inventar:
12806517
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ISP13DP06NMSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
ISP13DP06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-ISP13DP06NMSATMA1TR
448-ISP13DP06NMSATMA1DKR
ISP13DP06NMSATMA1-DG
448-ISP13DP06NMSATMA1CT
SP004987238
448-ISP13DP06NMSATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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