IXFA8N65X2
Hersteller Produktnummer:

IXFA8N65X2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFA8N65X2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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13270732
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IXFA8N65X2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXFA8N65

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXF(Y,A,P)8N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
238-IXFA8N65X2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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