Hersteller Produktnummer:
IXFL38N100P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFL38N100P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Inventar:
12820842
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Menge
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IXFL38N100P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
24000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUSi5-Pak™
Paket / Koffer
ISOPLUSi5-PAK™
Basis-Produktnummer
IXFL38
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
APT29F100B2
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
37
TEILNUMMER
APT29F100B2-DG
Einheitspreis
14.03
ERSATZART
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