Hersteller Produktnummer:
IXFM35N30
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFM35N30-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventar:
12819948
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Menge
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IXFM35N30 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AE
Paket / Koffer
TO-204AE
Basis-Produktnummer
IXFM35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDA38N30
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
17406
TEILNUMMER
FDA38N30-DG
Einheitspreis
1.33
ERSATZART
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