Hersteller Produktnummer:
IXFN26N90
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN26N90-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820003
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Menge
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IXFN26N90 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN26
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
IXFN26N90-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFN40N90P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFN40N90P-DG
Einheitspreis
29.98
ERSATZART
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