Hersteller Produktnummer:
IXFN50N120SIC
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN50N120SIC-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
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IXFN50N120SIC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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