Hersteller Produktnummer:
IXFN60N80P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN60N80P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820902
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IXFN60N80P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
APT53F80J
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
89
TEILNUMMER
APT53F80J-DG
Einheitspreis
52.75
ERSATZART
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