IXFN70N60Q2
Hersteller Produktnummer:

IXFN70N60Q2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFN70N60Q2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventar:

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IXFN70N60Q2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Q2 Class
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN70

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXFN70N60Q2
HTML-Datenblatt
IXFN70N60Q2-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXFN80N60P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
8
TEILNUMMER
IXFN80N60P3-DG
Einheitspreis
27.26
ERSATZART
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Teilenummer
APT40N60JCU3
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certification_02
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cr
certification_015
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esd
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