Hersteller Produktnummer:
IXFR58N20
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFR58N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819132
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFR58N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTH32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO247
IXFB30N120Q2
MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
IXTP70N085T
MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB
