Hersteller Produktnummer:
IXFV12N80P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFV12N80P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventar:
12819740
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Menge
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IXFV12N80P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, PolarHT™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS220
Paket / Koffer
TO-220-3, Short Tab
Basis-Produktnummer
IXFV12
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP08N80C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1997
TEILNUMMER
SPP08N80C3XKSA1-DG
Einheitspreis
1.00
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