Hersteller Produktnummer:
IXFX100N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX100N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12819367
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IXFX100N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFX100N65X2X-DG
IXFX100N65X2XINACTIVE
IXFX100N65X2X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SCT3022ALGC11
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1695
TEILNUMMER
SCT3022ALGC11-DG
Einheitspreis
36.29
ERSATZART
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