Hersteller Produktnummer:
IXFX55N50F
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX55N50F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12864578
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Menge
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IXFX55N50F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerRF™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX55
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFX55N50F-NDR
Q1649656
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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