Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXFY8N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFY8N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
50 Stück Neu Original Auf Lager
12821551
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFY8N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXFY8N65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXFY8N65X2
HTML-Datenblatt
IXFY8N65X2-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
-1402-IXFY8N65X2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK560P65Y,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
4898
TEILNUMMER
TK560P65Y,RQ-DG
Einheitspreis
0.46
ERSATZART
Similar
Teilenummer
TK11P65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
485
TEILNUMMER
TK11P65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPD80R600P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5056
TEILNUMMER
IPD80R600P7ATMA1-DG
Einheitspreis
0.60
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IPD60R600P7SAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9704
TEILNUMMER
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
Similar
Teilenummer
TK10P60W,RVQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5042
TEILNUMMER
TK10P60W,RVQ-DG
Einheitspreis
1.18
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTA260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO263
IXFH26N55Q
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
IXTA2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD