Hersteller Produktnummer:
IXTA4N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA4N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
35 Stück Neu Original Auf Lager
12907603
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTA4N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
455 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA4
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6007KNJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
17
TEILNUMMER
R6007KNJTL-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
Similar
Teilenummer
R6007ENJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2
TEILNUMMER
R6007ENJTL-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
