Hersteller Produktnummer:
IXTB62N50L
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTB62N50L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventar:
12822259
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Menge
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IXTB62N50L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Linear
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 31A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
550 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS264™
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXTB62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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