IXTH48N65X2
Hersteller Produktnummer:

IXTH48N65X2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTH48N65X2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventar:

272 Stück Neu Original Auf Lager
12820085
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IXTH48N65X2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4420 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
660W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH48

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXTH48N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
632407

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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