IXTP08N100P
Hersteller Produktnummer:

IXTP08N100P

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTP08N100P-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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IXTP08N100P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP08

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXT(A,P,Y)08N100P Building, Home Automation Appl Guide

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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