Hersteller Produktnummer:
IXTP1R4N100P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP1R4N100P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12820066
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IXTP1R4N100P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP2NK100Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
738
TEILNUMMER
STP2NK100Z-DG
Einheitspreis
1.37
ERSATZART
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