Hersteller Produktnummer:
IXTQ182N055T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ182N055T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12821951
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTQ182N055T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
TrenchMV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ182
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTH260N055T2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3
TEILNUMMER
IXTH260N055T2-DG
Einheitspreis
3.89
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
