Hersteller Produktnummer:
IXTQ36N20T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ36N20T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V Through Hole TO-3P
Inventar:
12819886
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Menge
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IXTQ36N20T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
Trench
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ36
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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