Hersteller Produktnummer:
IXTQ76N25T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ76N25T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 76A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
2 Stück Neu Original Auf Lager
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IXTQ76N25T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Trench
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
460W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ76
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDA69N25
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
800
TEILNUMMER
FDA69N25-DG
Einheitspreis
2.23
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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