Hersteller Produktnummer:
2N5339QFN
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N5339QFN-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventar:
12986471
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5339QFN Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N5339QFN
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
JANTXV2N2222AUBP
SMALL-SIGNAL BJT
MSR2N2222A
RH SMALL-SIGNAL BJT
BC846AQB-QZ
SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
