Hersteller Produktnummer:

2N5607

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N5607-DG

Beschreibung:

POWER BJT

Detaillierte Beschreibung:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Inventar:

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12984796

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2N5607 Technische Spezifikationen

Kategorie

Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren

Hersteller

Microchip Technology

Verpackung

Bulk

Reihe

-

Produktstatus

Active

Transistor-Typ

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5 A

Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)

80 V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - Max

25 W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Art der Montage

Through Hole

Paket / Koffer

TO-213AA, TO-66-2

Gerätepaket für Lieferanten

TO-66 (TO-213AA)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1

Andere Namen

150-2N5607

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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