2N5607
Hersteller Produktnummer:

2N5607

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N5607-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Inventar:

12984796
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Menge
Mindestens 1
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2N5607 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
25 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N5607

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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