2N5608
Hersteller Produktnummer:

2N5608

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N5608-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12982283
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

2N5608 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500µA, 2.5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
25 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N5608

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

2N7375

POWER BJT

microchip-technology

JANS2N3421

VOLTAGE REGULATOR

microchip-technology

2C2907A-MSCL

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

MSR2N2907A

RH SMALL-SIGNAL BJT