Hersteller Produktnummer:
2N5793
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N5793-DG
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 500mW Through Hole TO-78-6
Inventar:
13253363
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2N5793 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
500mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-78-6 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-78-6
Basis-Produktnummer
2N579
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2N5793MS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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