2N6189
Hersteller Produktnummer:

2N6189

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N6189-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A 60 W Stud Mount TO-59

Inventar:

12980772
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

2N6189 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 100µA, 2mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
60 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Stud Mount
Paket / Koffer
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Gerätepaket für Lieferanten
TO-59

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N6189

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
microchip-technology

JANSR2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N3879A

POWER BJT

microchip-technology

2N5967

POWER BJT

microchip-technology

2N6246

POWER BJT