2N757A
Hersteller Produktnummer:

2N757A

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

2N757A-DG

Beschreibung:

SMALL-SIGNAL BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

Inventar:

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12983616
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2N757A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
500 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-18 (TO-206AA)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N757A

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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