APT1201R2BLLG
Hersteller Produktnummer:

APT1201R2BLLG

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT1201R2BLLG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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APT1201R2BLLG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 7®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT1201

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
150-APT1201R2BLLG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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