Hersteller Produktnummer:
APT38F80B2
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT38F80B2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventar:
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APT38F80B2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8070 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
APT38F80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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