Hersteller Produktnummer:
APT60M80L2VRG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT60M80L2VRG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 65A 264 MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Inventar:
13256082
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APT60M80L2VRG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
POWER MOS V®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
590 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
833W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
264 MAX™ [L2]
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
APT60M80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFL82N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
25
TEILNUMMER
IXFL82N60P-DG
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24.34
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