JAN2N6338
Hersteller Produktnummer:

JAN2N6338

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N6338-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 25A TO3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 200 W Through Hole TO-3

Inventar:

13259183
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JAN2N6338 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/509
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
25 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.8V @ 2.5A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10A, 2V
Leistung - Max
200 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
microchip-technology

JANTXV2N5416

PNP TRANSISTOR

microchip-technology

JANTXV2N3498U4

TRANS NPN 100V 0.5A U4

microchip-technology

JAN2N1716

TRANS NPN 60V 0.75A TO5

microchip-technology

JAN2N3421

TRANS NPN 80V 3A TO5