JANKCDD2N5152
Hersteller Produktnummer:

JANKCDD2N5152

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JANKCDD2N5152-DG

Beschreibung:

RH POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12980729
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JANKCDD2N5152 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/544
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
150-JANKCDD2N5152

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

2N5322E3

POWER BJT

microchip-technology

2N3498U4

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSD2N2222AL

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSP2N3637

RH SMALL-SIGNAL BJT