Hersteller Produktnummer:
JANS2N3507L
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JANS2N3507L-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Inventar:
13000821
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JANS2N3507L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/349
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-5AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANS2N3507L
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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