MSC080SMA120SA
Hersteller Produktnummer:

MSC080SMA120SA

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

MSC080SMA120SA-DG

Beschreibung:

MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventar:

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MSC080SMA120SA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
838 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
182W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
MSC080

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
150-MSC080SMA120SA

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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