Hersteller Produktnummer:
MSCSM120AM03T6LIAG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM120AM03T6LIAG-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 805A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 805A (Tc) 3.215kW (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12988311
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MSCSM120AM03T6LIAG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
805A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 400A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 30mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2320nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
30200pF @ 1000V
Leistung - Max
3.215kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
MSCSM120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM120AM03T6LIAG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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