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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MSCSM170HRM075NG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM170HRM075NG-DG
Beschreibung:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 337A (Tc), 317A (Tc) 1.492kW (Tc) Chassis Mount
Inventar:
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MSCSM170HRM075NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
337A (Tc), 317A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1068nC @ 20V, 928nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V
Leistung - Max
1.492kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MSCSM170HRM075NG
HTML-Datenblatt
MSCSM170HRM075NG-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM170HRM075NG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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