Hersteller Produktnummer:
MSCSM170HRM11NG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM170HRM11NG-DG
Beschreibung:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 226A (Tc), 163A (Tc) 1.012kW (Tc), 662W (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12960679
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MSCSM170HRM11NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
Leistung - Max
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM170HRM11NG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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