APT31N60BCSG
Hersteller Produktnummer:

APT31N60BCSG

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APT31N60BCSG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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APT31N60BCSG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3055 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
APT31N60BCSG-ND
150-APT31N60BCSG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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