Hersteller Produktnummer:
APT5SM170B
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT5SM170B-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
13263701
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
APT5SM170B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 2.5A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
249 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
APT5SM170B-ND
150-APT5SM170B
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
APT60M75L2FLLG
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
APT28F60B
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT6030BVRG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
