Hersteller Produktnummer:
BSH205G2R
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BSH205G2R-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
93115 Stück Neu Original Auf Lager
12831155
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BSH205G2R Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
418 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSH205
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-2247-6
1727-2247-2
1727-2247-1
5202-BSH205G2RTR
568-12533-1
568-12533-2
568-12533-6-DG
568-12533-6
568-12533-2-DG
934068496215
568-12533-1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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